IRFSL7440PBF Infineon Technologies
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL7440PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 120A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFSL7440PBF за ціною від 46.63 грн до 122.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 4246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFSL7440PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 147A Pulsed drain current: 772A Power dissipation: 208W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7440PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 147A Pulsed drain current: 772A Power dissipation: 208W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFSL7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 |
на замовлення 7039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFSL7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 120A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |