IRFSL7530PBF

IRFSL7530PBF Infineon Technologies


infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+141.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL7530PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFSL7530PBF за ціною від 155.98 грн до 155.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFSL7530PBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7530PBF - IRFSL7530 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+155.98 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBF IRFSL7530PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7530PBF IRFSL7530PBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFS7530_DataSheet_v01_01_EN-1732756.pdf MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.