Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFSL7540PBF
IRFSL7540PBF

IRFSL7540PBF Infineon Technologies

irfs7540pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3f7c229cf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+126.17 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL7540PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO262, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFSL7540PBF за ціною від 105.01 грн до 146.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFSL7540PBF IRFSL7540PBF Виробник : Infineon Technologies 722irfs7540pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+146.13 грн
500+131.62 грн
1000+121.25 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSD-S-A0000176419-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7540PBF - IRFSL7540 STRONGIRFET, 60V POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
241+105.01 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBF IRFSL7540PBF Виробник : Infineon Technologies 722irfs7540pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBF IRFSL7540PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7540pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3f7c229cf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7540PBF IRFSL7540PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFSL7540_DataSheet_v01_00_EN-3166428.pdf MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.