
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 191.40 грн |
10+ | 170.05 грн |
100+ | 118.44 грн |
500+ | 97.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL7787PBF Infineon / IR
Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFSL7787PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFSL7787PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFSL7787PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |