IRFTS8342TRPBF

IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies


infineonirfts8342datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.84 грн
6000+10.54 грн
9000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFTS8342TRPBF за ціною від 8.36 грн до 37.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfts8342datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.51 грн
6000+11.20 грн
9000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.28 грн
20+20.27 грн
23+17.89 грн
98+9.58 грн
269+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfts8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ae3bd21f1 Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.42 грн
18+18.53 грн
100+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.74 грн
12+25.26 грн
14+21.47 грн
98+11.50 грн
269+10.83 грн
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfts8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ae3bd21f1 MOSFETs 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.52 грн
17+20.98 грн
100+11.48 грн
500+11.32 грн
1000+10.41 грн
3000+8.97 грн
6000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.60 грн
37+23.62 грн
100+14.41 грн
500+12.35 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfts8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfts8342datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfts8342datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfts8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ae3bd21f1 Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.