IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.32 грн |
| 6000+ | 9.33 грн |
| 9000+ | 8.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFTS8342TRPBF за ціною від 7.05 грн до 45.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 20549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFTS8342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.2A |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFTS8342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFTS8342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V |
на замовлення 13943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg |
на замовлення 10793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFTS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |