IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFTS9342TRPBF за ціною від 8.65 грн до 53.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain current: -5.8A Drain-source voltage: -30V Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2W |
на замовлення 4348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V |
на замовлення 24408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-CHANNEL -30V -5.8A 40 mOhm |
на замовлення 16217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFTS9342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain current: -5.8A Drain-source voltage: -30V Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4348 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 7682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| IRFTS9342TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 |
на замовлення 8384 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| IRFTS9342TRPBF |
IRFTS9342TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
 |
IRFTS9342TRPBF Код товару: 87001 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||||
|
|
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |