IRFU024NPBF
Код товару: 112197
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFU024NPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU024NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFU024NPBF | International Rectifier |
POWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| IRFU024NPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 75 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
IRFU024NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® On-state resistance: 75mΩ Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFU024NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 17 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 45 Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IRFU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFU024NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
POWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори
POWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFU024NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFU024NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFU024NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| 47uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3509
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 6x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 6x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 2890 шт
- 2802 шт - склад
- 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 62 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 4700uF 35V ECR 18x36mm (ECR472M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3027
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4700 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 18x36 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4700 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 18x36 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 400 шт
- 400 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.50 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,2 А
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,2 А
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 51641 шт
- 46596 шт - склад
- 1317 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2086 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 64 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1578 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| 1000uF 63V ECR 16x26mm (ECR102M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2358
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x26 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x26 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 389 шт
- 363 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
| 100+ | 12.90 грн |
| 47uF 10V EMRL 5x7mm (Super miniature size) (EMRL470M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1442
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: EMRL
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x7 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: EMRL
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x7 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 374 шт
- 93 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 124 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 157 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |











