IRFU024NPBF


irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Код товару: 112197
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFU024NPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFU024NPBF IRFU024NPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF International Rectifier IRFR024NPBF.pdf POWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF International Rectifier/Infineon IRFR024 IR.pdf N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFR024NPBF.pdf
Виробник: International Rectifier
POWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFR024 IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF irfr024n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

47uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3509
2 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 6x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 2890 шт
  • 2802 шт - склад
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 62 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4700uF 35V ECR 18x36mm (ECR472M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3027
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4700 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 18x36 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148
Код товару: 2413
4 Додати до обраних Обраний товар
LL4148-D.PDF
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,2 А
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 51641 шт
  • 46596 шт - склад
  • 1317 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2086 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 64 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1578 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
40+0.50 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 63V ECR 16x26mm (ECR102M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2358
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x26 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 389 шт
  • 363 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 10V EMRL 5x7mm (Super miniature size) (EMRL470M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 1442
Додати до обраних Обраний товар
EMRL_080714.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: EMRL
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x7 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 374 шт
  • 93 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 124 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 157 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.