на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 14.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU024NPBFAKLA1 за ціною від 33.69 грн до 138.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU024NPBFAKLA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 HExFET Power MOSFET |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU024NPBFAKLA1 | Виробник : Infineon Technologies |
HExFET Power MOSFET |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU024NPBFAKLA1 | Виробник : Infineon Technologies |
HExFET Power MOSFET |
на замовлення 3882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU024NPBFAKLA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR 40<-<100V |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IRFU024NPBFAKLA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |