Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFU024NPBFAKLA1

IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies

irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 Виробник: Infineon Technologies
PLANAR 40<-<100V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFU024NPBFAKLA1 за ціною від 34.41 грн до 141.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU024NPBFAKLA1 Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf HExFET Power MOSFET
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
675+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 675
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf HExFET Power MOSFET
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
560+56.78 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf HExFET Power MOSFET
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
560+56.78 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.52 грн
10+90.08 грн
100+52.96 грн
500+42.10 грн
1000+38.61 грн
3000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 IRFU024NPBFAKLA1 Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Gate charge: 20nC
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.