IRFU1010ZPBF International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU1010ZPBF International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFU1010ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFU1010ZPBF | IR |
06+ |
на замовлення 20400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFU1010ZPBF |
![]() |
Виробник: IR
06+
06+
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


