IRFU1010ZPBF International Rectifier


IRSDS11230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 4825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
383+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU1010ZPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRFU1010ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU1010ZPBF IR IRSDS11230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1010ZPBF IRSDS11230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: IR
06+
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.