;;3.jpg "IRFU120NPBF")
Інші пропозиції IRFU120NPBF за ціною від 18.46 грн до 99.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 35212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 2092 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFU120NPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: I-PAK Од. кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|