Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFU120NPBF
IRFU120NPBF

IRFU120NPBF

irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Код товару: 101754
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFU120NPBF за ціною від 21.05 грн до 96.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.61 грн
12000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.66 грн
12000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+42.66 грн
1000+39.33 грн
10000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+42.66 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 14777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+42.66 грн
1000+39.33 грн
10000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.43 грн
11+39.96 грн
25+36.15 грн
50+33.33 грн
75+31.67 грн
150+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.10 грн
16+49.10 грн
100+44.52 грн
500+40.10 грн
1000+31.06 грн
3000+26.59 грн
9000+26.31 грн
24000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.56 грн
287+49.34 грн
317+44.74 грн
500+40.30 грн
1000+31.21 грн
3000+26.72 грн
9000+26.44 грн
24000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+28.05 грн
150+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF International Rectifier HiRel Products irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+42.66 грн
1000+39.33 грн
10000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.61 грн
12000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.66 грн
12000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
829+42.66 грн
1000+39.33 грн
10000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
829+42.66 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 14777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
829+42.66 грн
1000+39.33 грн
10000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF irfr120n.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.43 грн
11+39.96 грн
25+36.15 грн
50+33.33 грн
75+31.67 грн
150+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+93.10 грн
16+49.10 грн
100+44.52 грн
500+40.10 грн
1000+31.06 грн
3000+26.59 грн
9000+26.31 грн
24000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+93.56 грн
287+49.34 грн
317+44.74 грн
500+40.30 грн
1000+31.21 грн
3000+26.72 грн
9000+26.44 грн
24000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+28.05 грн
150+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
829+42.66 грн
1000+39.33 грн
10000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 829 шт
В кошику  од. на суму  грн.