IRFU120NPBF Infineon Technologies
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 17.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU120NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFU120NPBF за ціною від 20.14 грн до 90.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 8190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 8190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU120NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFU120NPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
;;3.jpg "IRFU120NPBF") |
IRFU120NPBF Код товару: 101754
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |