Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFU120NPBF
IRFU120NPBF

IRFU120NPBF Infineon Technologies

infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU120NPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFU120NPBF за ціною від 14.38 грн до 92.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
646+18.91 грн
682+17.89 грн
1000+17.59 грн
3000+16.86 грн
6000+15.53 грн
24000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 646
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
471+25.92 грн
498+24.53 грн
556+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 471
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+28.20 грн
26+24.02 грн
100+22.73 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
994+30.71 грн
1052+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 994
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
994+30.71 грн
1052+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 994
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
994+30.71 грн
1052+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 994
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
994+30.71 грн
1052+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 994
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363096.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.70 грн
10+43.22 грн
100+33.64 грн
500+26.64 грн
1000+22.62 грн
3000+22.40 грн
9000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 8846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.34 грн
20+42.49 грн
100+37.82 грн
500+27.98 грн
1000+22.04 грн
5000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.80 грн
11+37.59 грн
29+31.94 грн
78+30.23 грн
525+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF
Код товару: 101754
Додати до обраних Обраний товар

irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.33 грн
75+39.96 грн
150+34.45 грн
525+28.13 грн
1050+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.16 грн
10+46.85 грн
29+38.32 грн
78+36.28 грн
525+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.