IRFU220BTU-AM002 ON Semiconductor
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 5040+ | 31.74 грн | 
| 10080+ | 30.58 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU220BTU-AM002 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V. 
Інші пропозиції IRFU220BTU-AM002 за ціною від 41.67 грн до 83.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        IRFU220BTU-AM002 | Виробник : onsemi / Fairchild | 
            
                         MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM         | 
        
                             на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||
| 
             | 
        IRFU220BTU-AM002 | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||
                      | 
        IRFU220BTU-AM002 | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        


