Технічний опис IRFU220NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFU220NPBF за ціною від 27.16 грн до 112.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU220NPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 16246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU220NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU220NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFU220NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFU220NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 467+ | 30.33 грн |
| IRFU220NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 777+ | 45.52 грн |
| IRFU220NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 176+ | 80.58 грн |
| IRFU220NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Description: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.69 грн |
| IRFU220NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 112.21 грн |
| 295+ | 47.99 грн |
| 356+ | 39.79 грн |
| 500+ | 34.73 грн |
| 1000+ | 30.05 грн |
| 2000+ | 27.16 грн |
| IRFU220NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
MOSFETs MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFU220NPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU220NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)