IRFU3410PBF Infineon Technologies
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 29.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU3410PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU3410PBF за ціною від 26.63 грн до 137.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 9614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 52852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 10018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU3410PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU3410PBF - IRFU3410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 73723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFU3410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |