IRFU3910PBF Infineon Technologies
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU3910PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm.
Інші пропозиції IRFU3910PBF за ціною від 24.84 грн до 90.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC |
на замовлення 4179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU3910PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU3910PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm |
на замовлення 3801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU3910PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFU3910PBF Код товару: 77965 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 16 A Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 640/44 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |