Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFU3910PBF
IRFU3910PBF

IRFU3910PBF

datasheet7tb8u.pdf
Код товару: 77965
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-251AA
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,115 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 640/44
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU3910PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 15A, I-PAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.115ohm
  • Power Dissipation:79W
  • Transistor Case Style:I-PAK
  • SVHC:No SVHC
  • Alternate Case Style:I-PAK
  • Case Style:I-PAK
  • Cont Current Id:16A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.4`C/W
  • Lead Length:9.65mm
  • Lead Spacing:2.28mm
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:79W
  • Pulse Current Idm:60A
  • SMD Marking:IRFU3910
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Turn Off Time, t Off:25ns
  • Turn On Time, t On:27ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRFU3910PBF за ціною від 26.59 грн до 105.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFU3910PBF IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.39 грн
150+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF IRFU3910PBF Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df description Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
75+45.05 грн
150+40.33 грн
525+31.52 грн
1050+28.78 грн
2025+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF IRFU3910PBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF description irfr3910.pdf
IRFU3910PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.39 грн
150+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF description irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
IRFU3910PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
75+45.05 грн
150+40.33 грн
525+31.52 грн
1050+28.78 грн
2025+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF description Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFU3910PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.