IRFU3910PBF
Код товару: 77965
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-251AA
Uds,V: 100 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU3910PBF IR
- MOSFET, N, 100V, 15A, I-PAK
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.115ohm
- Power Dissipation:79W
- Transistor Case Style:I-PAK
- SVHC:No SVHC
- Alternate Case Style:I-PAK
- Case Style:I-PAK
- Cont Current Id:16A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.4`C/W
- Lead Length:9.65mm
- Lead Spacing:2.28mm
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:79W
- Pulse Current Idm:60A
- SMD Marking:IRFU3910
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Turn Off Time, t Off:25ns
- Turn On Time, t On:27ns
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRFU3910PBF за ціною від 26.61 грн до 106.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU3910PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU3910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|