;;3.jpg "IRFU4105ZPBF")
IRFU4105ZPBF
Код товару: 43658
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU4105ZPBF
- MOSFET, N, I-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:30A
- On State Resistance:0.00245ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:I-PAK
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:TO-251
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Length:9.65mm
- Lead Spacing:2.28mm
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:48W
- Power Dissipation Pd:48W
- Pulse Current Idm:120A
- SMD Marking:IRFU4105ZPBF
- Turn Off Time, t Off:26ns
- Turn On Time, t On:10ns
- Transistor Case Style:I-PAK
Інші пропозиції IRFU4105ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU4105ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRFU4105ZPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRFU4105ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
товару немає в наявності |