IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES


IRFU4510PBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 143W
Technology: HEXFET®
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+148.69 грн
5+92.88 грн
10+85.35 грн
50+70.29 грн
75+66.94 грн
150+60.25 грн
450+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRFU4510PBF за ціною від 53.68 грн до 220.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFU4510PBF IRFU4510PBF Infineon Technologies irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.00 грн
75+81.24 грн
150+73.33 грн
525+58.25 грн
1050+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF Infineon Technologies irg7ph35udpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+220.57 грн
224+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF Infineon Technologies Infineon_IRFR4510_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON 1627145.pdf Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF International Rectifier HiRel Products irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.05 грн
500+104.44 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF International Rectifier HiRel Products irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.05 грн
500+104.44 грн
1000+96.32 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 IRFU4510PBF Транзисторы FETKY
на замовлення 94 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.00 грн
75+81.24 грн
150+73.33 грн
525+58.25 грн
1050+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF irg7ph35udpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+220.57 грн
224+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF Infineon_IRFR4510_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF 1627145.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+116.05 грн
500+104.44 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+116.05 грн
500+104.44 грн
1000+96.32 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1
IRFU4510PBF Транзисторы FETKY
на замовлення 94 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.