Технічний опис IRFU4510PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFU4510PBF за ціною від 50.89 грн до 198.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU4510PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU4510PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 143W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU4510PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU4510PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU4510PBF |
IRFU4510PBF Транзисторы FETKY |
на замовлення 94 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 305+ | 116.31 грн |
| 500+ | 104.67 грн |
| 1000+ | 96.53 грн |
| IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 305+ | 116.31 грн |
| 500+ | 104.67 грн |
| IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 150.75 грн |
| 5+ | 94.17 грн |
| 10+ | 86.54 грн |
| 50+ | 71.27 грн |
| 75+ | 67.87 грн |
| 150+ | 61.08 грн |
| 450+ | 58.54 грн |
| IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.55 грн |
| 75+ | 82.37 грн |
| 150+ | 74.35 грн |
| 525+ | 59.06 грн |
| 1050+ | 54.43 грн |
| IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
MOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.17 грн |
| 10+ | 188.86 грн |
| 6000+ | 50.89 грн |
| IRFU4510PBF |
![]() |
IRFU4510PBF Транзисторы FETKY
на замовлення 94 шт:
термін постачання 4 дні (днів)






