IRFU4510PBF Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 50.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU4510PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFU4510PBF за ціною від 47.81 грн до 184.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC |
на замовлення 15371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 8680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU4510PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFU4510PBF |
IRFU4510PBF Транзисторы FETKY |
на замовлення 94 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |