IRFU5305PBF Infineon Technologies
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1301+ | 20.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU5305PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFU5305PBF за ціною від 19.63 грн до 107.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 10846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 21874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 6740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 6745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 6265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRFU5305PBF Код товару: 26942
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|





;;3.jpg)