Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFU5305PBF
IRFU5305PBF

IRFU5305PBF

irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
Код товару: 26942
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU5305PBF

  • MOSFET, P, -55V, -28A, I-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.065ohm
  • Power Dissipation:110W
  • Transistor Case Style:I-PAK
  • Alternate Case Style:I-PAK
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
  • Case Style:I-PAK
  • Cont Current Id:22A
  • Current Iar:16A
  • Current Temperature:25`C
  • Fall Time Tf:63ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.8`C/W
  • Lead Length:9.65mm
  • Lead Spacing:2.28mm
  • Max Junction Temperature Tj:175`C
  • Max Repetitive Avalanche Energy:6.9mJ
  • Max Voltage Vgs th:-4V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:-2V
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.065ohm
  • Power Dissipation Pd:69W
  • Pulse Current Idm:110A
  • Rise Time:66ns
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:P
  • Turn Off Time, t Off:39ns
  • Turn On Time, t On:14ns
  • Typ Capacitance Ciss:1200pF
  • Typ Voltage Vds:-55V
  • Typ Voltage Vgs th:-4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

Інші пропозиції IRFU5305PBF за ціною від 19.80 грн до 122.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.96 грн
10+49.18 грн
75+40.21 грн
150+38.77 грн
525+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff description Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 9002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
75+38.65 грн
150+34.46 грн
525+26.73 грн
1050+24.29 грн
2025+22.35 грн
5025+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.58 грн
15+57.60 грн
100+47.50 грн
500+37.41 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF Infineon Technologies Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.25 грн
10+73.76 грн
100+42.55 грн
500+33.47 грн
1000+28.62 грн
3000+25.95 грн
6000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+82.96 грн
10+49.18 грн
75+40.21 грн
150+38.77 грн
525+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFU5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 9002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.77 грн
75+38.65 грн
150+34.46 грн
525+26.73 грн
1050+24.29 грн
2025+22.35 грн
5025+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description INFN-S-A0012838531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.58 грн
15+57.60 грн
100+47.50 грн
500+37.41 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFU5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.25 грн
10+73.76 грн
100+42.55 грн
500+33.47 грн
1000+28.62 грн
3000+25.95 грн
6000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.