IRFU5410PBF Infineon Technologies
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 33.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU5410PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFU5410PBF за ціною від 33.24 грн до 143.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU5410PBF | Виробник : International Rectifier |
 Description: IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 281224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 15792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU5410PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC |
на замовлення 12297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 2232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRFU5410PBF Код товару: 124333
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |