Інші пропозиції IRFU5410PBF за ціною від 33.63 грн до 136.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU5410PBF | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU5410PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC |
на замовлення 5827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRFU5410PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.75 грн |
| 75+ | 56.10 грн |
| 150+ | 50.37 грн |
| 525+ | 39.61 грн |
| 1050+ | 36.29 грн |
| 2025+ | 33.63 грн |
| IRFU5410PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.20 грн |
| 10+ | 105.14 грн |
| 25+ | 54.01 грн |
| 100+ | 48.45 грн |
| 500+ | 40.65 грн |
| 1000+ | 34.53 грн |
| 3000+ | 34.11 грн |