IRFU5410PBF Infineon Technologies
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU5410PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU5410PBF за ціною від 31.09 грн до 93.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
;;3.jpg "IRFU5410PBF") |
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC |
на замовлення 14151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU5410PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFU5410PBF Код товару: 124333 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFU5410PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |