
IRFU7540PBF Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
85+ | 143.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU7540PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU7540PBF за ціною від 147.30 грн до 147.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU7540PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IRFU7540PBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 14600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
IRFU7540PBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
IRFU7540PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRFU7540PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |