IRFU9024N Siliconix


IRFR%2CU9024N.pdf Виробник: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU9024N Siliconix

Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFU9024N за ціною від 20.49 грн до 20.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU9024N Виробник : International Rectifier IRFR%2CU9024N.pdf P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024N Виробник : IR IRFR%2CU9024N.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024N Виробник : IR IRFR%2CU9024N.pdf TO251 10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024N IRFU9024N
Код товару: 28049
Додати до обраних Обраний товар

IRFR%2CU9024N.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024N IRFU9024N Виробник : Infineon Technologies IRFR%2CU9024N.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.