IRFU9024NPBF Infineon Technologies
на замовлення 12390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9024NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU9024NPBF за ціною від 17.62 грн до 80.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 12390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 12384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC |
на замовлення 8259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFU9024NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFU9024NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm |
на замовлення 3594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 20933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU9024NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRFU9024NPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK |
на замовлення 21 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
IRFU9024NPBF Код товару: 31708 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: I-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 11 А Rds(on),Om: 0,175 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |