IRFU9024NPBF
Код товару: 31708
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9024NPBF IR
- MOSFET, P, -55V, -11A, I-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-55V
- Cont Current Id:11A
- On State Resistance:0.175ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Case Style:I-PAK
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:I-PAK
- Current Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:3.3`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Power Dissipation:38W
- Power Dissipation Pd:38W
- Pulse Current Idm:44A
- SMD Marking:IRFU 9024N
- Turn Off Time, t Off:23ns
- Turn On Time, t On:13ns
- Transistor Case Style:I-PAK
Інші пропозиції IRFU9024NPBF за ціною від 21.10 грн до 177.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 18042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 39296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 39302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1677 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 38W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC |
на замовлення 9290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 6325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 97 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFU9024NPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. вкількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 792+ | 44.79 грн |
| 1000+ | 41.31 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 792+ | 44.79 грн |
| 1000+ | 41.31 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 263+ | 54.00 грн |
| 282+ | 50.43 грн |
| 333+ | 42.58 грн |
| 525+ | 37.75 грн |
| 1050+ | 34.61 грн |
| 2025+ | 30.50 грн |
| 5025+ | 29.30 грн |
| 10050+ | 28.92 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 55.76 грн |
| 274+ | 51.78 грн |
| 329+ | 43.21 грн |
| 525+ | 38.11 грн |
| 1050+ | 34.93 грн |
| 2025+ | 30.62 грн |
| 5025+ | 29.16 грн |
| 10050+ | 28.42 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 55.95 грн |
| 75+ | 51.95 грн |
| 150+ | 43.35 грн |
| 525+ | 38.24 грн |
| 1050+ | 35.05 грн |
| 2025+ | 30.72 грн |
| 5025+ | 29.26 грн |
| 10050+ | 28.52 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 67.89 грн |
| 10+ | 42.87 грн |
| 25+ | 35.64 грн |
| 75+ | 29.75 грн |
| 150+ | 26.22 грн |
| 375+ | 23.11 грн |
| 525+ | 22.36 грн |
| 750+ | 21.69 грн |
| 1050+ | 21.10 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 121.38 грн |
| 16+ | 52.95 грн |
| 100+ | 47.33 грн |
| 500+ | 36.39 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.79 грн |
| 10+ | 81.10 грн |
| 100+ | 46.30 грн |
| 500+ | 36.38 грн |
| 1000+ | 31.07 грн |
| 3000+ | 28.14 грн |
| 6000+ | 25.07 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.54 грн |
| 75+ | 77.39 грн |
| 150+ | 69.62 грн |
| 525+ | 54.94 грн |
| 1050+ | 50.44 грн |
| 2025+ | 46.84 грн |
| 5025+ | 42.04 грн |
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. в
кількість в упаковці: 75 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. в
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 68.80 грн |
| 150+ | 58.97 грн |








