IRFU9024PBF VBSEMI
Код товару: 195135
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: VBSEMI
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRFU9024PBF VBSEMI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9024PBF Код товару: 49504
Додати до обраних
Обраний товар
|
SILI |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-251 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Id, А: 8,8 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19 Монтаж: THT |
у наявності: 22 шт
|
|
| IRFU9024PBF Код товару: 49504
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
- 17 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
Інші пропозиції IRFU9024PBF за ціною від 30.79 грн до 186.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 3146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 799 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp |
на замовлення 3854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU9024PBF |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 373+ | 37.91 грн |
| 388+ | 36.41 грн |
| 500+ | 35.07 грн |
| 1000+ | 33.25 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 39.72 грн |
| 20+ | 37.91 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 33.82 грн |
| 1000+ | 30.79 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 115.51 грн |
| 137+ | 103.26 грн |
| 150+ | 97.07 грн |
| 525+ | 82.43 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 118.00 грн |
| 167+ | 84.63 грн |
| 202+ | 69.95 грн |
| 525+ | 58.30 грн |
| 1050+ | 53.44 грн |
| 2025+ | 50.50 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 118.39 грн |
| 75+ | 84.92 грн |
| 150+ | 70.18 грн |
| 525+ | 58.50 грн |
| 1050+ | 53.62 грн |
| 2025+ | 50.67 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 118.49 грн |
| 10+ | 65.02 грн |
| 75+ | 55.76 грн |
| 150+ | 52.37 грн |
| 525+ | 46.41 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.34 грн |
| 75+ | 82.67 грн |
| 150+ | 74.67 грн |
| 525+ | 59.38 грн |
| 1050+ | 54.76 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU9024PBF |
![]() |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)







