IRFU9024PBF SILI
Код товару: 49504
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: SILI
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRFU9024PBF SILI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9024PBF Код товару: 195135
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBSEMI |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-251 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Id, А: 8,8 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19 Монтаж: THT |
у наявності: 531 шт
|
|
| IRFU9024PBF Код товару: 195135
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBSEMI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 531 шт
- 501 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
Інші пропозиції IRFU9024PBF за ціною від 63.40 грн до 209.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 221-230 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRFU9024PBF |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 130.82 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 221-230 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 209.60 грн |
| 10+ | 107.57 грн |
| 100+ | 74.98 грн |
| 500+ | 63.40 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU9024PBF |
![]() |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| Дротяний припій, 1mm, 10g, з флюсом, свинцевий, CYNEL FIOLKA Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 10g Код товару: 25598
14
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CYNEL
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,01кг; флюс: F-SW26; 2,5%; температура плавлення: 190 °С
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 г
Діаметр: 1 мм
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°С
Вид припою: Свинцевий
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,01кг; флюс: F-SW26; 2,5%; температура плавлення: 190 °С
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 г
Діаметр: 1 мм
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°С
Вид припою: Свинцевий
у наявності: 200 шт
- 142 шт - склад
- 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 630 шт
- 600 шт - очікується 30.11.2026
- 30 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 90.00 грн |
| 10+ | 84.00 грн |
| 100+ | 78.00 грн |
| BZX79-B10 Код товару: 57488
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 10 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 6,4 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 10 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 6,4 мВ/K
у наявності: 4641 шт
- 4475 шт - склад
- 53 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 86 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 393 шт
- 393 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| BC856B Код товару: 2029
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 65 В
Напруга Uкб, В: 80 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 475
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 65 В
Напруга Uкб, В: 80 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 475
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 349 шт
- 83 шт - склад
- 98 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 82 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 64 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| 10000+ | 0.50 грн |
| 1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1933
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 9242 шт
- 9242 шт - склад
на замовлення: 60 шт
- 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.30 грн |
| 1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 3097 шт
- 2207 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 890 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200000 шт
- 100000 шт - очікується 15.01.2027
- 100000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 167+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |










