IRFU9024PBF SILI
Код товару: 49504
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: SILI
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRFU9024PBF SILI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9024PBF Код товару: 195135
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBSEMI |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-251 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Id, А: 8,8 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
очікується: 600 шт
|
|
| IRFU9024PBF Код товару: 195135
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBSEMI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 600 шт
- 600 шт - очікується 13.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
Інші пропозиції IRFU9024PBF за ціною від 30.79 грн до 188.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 3146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 799 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp |
на замовлення 3854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFU9024PBF |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 373+ | 37.91 грн |
| 388+ | 36.41 грн |
| 500+ | 35.07 грн |
| 1000+ | 33.25 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 39.72 грн |
| 20+ | 37.91 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 33.82 грн |
| 1000+ | 30.79 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 115.51 грн |
| 137+ | 103.26 грн |
| 150+ | 97.07 грн |
| 525+ | 82.43 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 118.00 грн |
| 167+ | 84.63 грн |
| 202+ | 69.95 грн |
| 525+ | 58.30 грн |
| 1050+ | 53.44 грн |
| 2025+ | 50.50 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 118.39 грн |
| 75+ | 84.92 грн |
| 150+ | 70.18 грн |
| 525+ | 58.50 грн |
| 1050+ | 53.62 грн |
| 2025+ | 50.67 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 119.85 грн |
| 10+ | 65.77 грн |
| 75+ | 56.40 грн |
| 150+ | 52.97 грн |
| 525+ | 46.94 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.48 грн |
| 75+ | 83.62 грн |
| 150+ | 75.53 грн |
| 525+ | 60.07 грн |
| 1050+ | 55.39 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU9024PBF |
![]() |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| Дротяний припій, 1mm, 10g, з флюсом, свинцевий, CYNEL FIOLKA Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 10g Код товару: 25598
11
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CYNEL
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,01кг; флюс: F-SW26; 2,5%; температура плавлення: 190 °С
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 г
Діаметр: 1 мм
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°С
Вид припою: Свинцевий
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,01кг; флюс: F-SW26; 2,5%; температура плавлення: 190 °С
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 г
Діаметр: 1 мм
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°С
Вид припою: Свинцевий
у наявності: 200 шт
- 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 141 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 11 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 600 шт
- 600 шт - очікується 27.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| 100+ | 62.50 грн |
| BZX79-B10 Код товару: 57488
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 10 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 6,4 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 10 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 6,4 мВ/K
у наявності: 4890 шт
- 4717 шт - склад
- 55 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 86 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 393 шт
- 393 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| BC856B Код товару: 2029
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 65 В
Напруга Uкб, В: 80 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 475
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 65 В
Напруга Uкб, В: 80 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 475
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 2083 шт
- 1805 шт - склад
- 79 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 82 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 78 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| 10000+ | 0.50 грн |
| 1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1933
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 60 шт
- 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.30 грн |
| 1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 49997 шт
- 43490 шт - склад
- 4007 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100000 шт
- 100000 шт - очікується
на замовлення: 450 шт
- 450 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |












