IRFW540ATM

IRFW540ATM Fairchild Semiconductor


FAIRS18180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 30617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
437+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 437
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFW540ATM Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFW540ATM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFW540ATM Виробник : IR FAIRS18180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF%28I%2CW%29540A.pdf TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFW540ATM Виробник : SAMSUNG FAIRS18180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF%28I%2CW%29540A.pdf TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFW540ATM IRFW540ATM Виробник : onsemi IRF%28I%2CW%29540A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFW540ATM IRFW540ATM Виробник : onsemi / Fairchild IRFW540A-85401.pdf MOSFET 100V N-Channel A-FET
товар відсутній