Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFZ34NSTRLPBF
IRFZ34NSTRLPBF

IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfz34ns-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFZ34NSTRLPBF за ціною від 36.60 грн до 141.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.00 грн
2400+39.60 грн
4800+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.65 грн
1600+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+42.70 грн
2400+42.28 грн
4800+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.08 грн
250+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
198+62.30 грн
199+61.97 грн
206+60.03 грн
250+56.70 грн
500+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+119.08 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.21 грн
10+53.20 грн
100+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 MOSFETs MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.80 грн
10+57.69 грн
100+49.10 грн
500+46.21 грн
800+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.57 грн
14+62.84 грн
50+62.16 грн
100+57.08 грн
250+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+141.93 грн
11+66.75 грн
25+66.40 грн
100+62.02 грн
250+56.25 грн
500+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 N-канальний ПТ; Udss, В = 10; Id = 29 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.