Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFZ34NSTRLPBF
IRFZ34NSTRLPBF

IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції IRFZ34NSTRLPBF за ціною від 28.24 грн до 109.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.91 грн
12+66.42 грн
25+62.20 грн
100+56.40 грн
250+51.44 грн
500+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 95425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+91.48 грн
500+82.33 грн
1000+75.93 грн
10000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+91.48 грн
500+82.33 грн
1000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+91.48 грн
500+82.33 грн
1000+75.93 грн
10000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+91.48 грн
500+82.33 грн
1000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.12 грн
10+67.86 грн
32+29.82 грн
88+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRFZ34NS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
800+71.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+73.91 грн
12+66.42 грн
25+62.20 грн
100+56.40 грн
250+51.44 грн
500+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 95425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
396+91.48 грн
500+82.33 грн
1000+75.93 грн
10000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
396+91.48 грн
500+82.33 грн
1000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
396+91.48 грн
500+82.33 грн
1000+75.93 грн
10000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
396+91.48 грн
500+82.33 грн
1000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.12 грн
10+67.86 грн
32+29.82 грн
88+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF Infineon-IRFZ34NS.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.