Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFZ34NSTRLPBF
IRFZ34NSTRLPBF

IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції IRFZ34NSTRLPBF за ціною від 41.46 грн до 169.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+87.87 грн
207+68.52 грн
250+65.66 грн
500+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.40 грн
10+57.04 грн
50+48.92 грн
100+46.68 грн
250+44.61 грн
500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.36 грн
10+88.28 грн
25+87.87 грн
100+66.07 грн
250+60.80 грн
500+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
10+87.38 грн
100+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.68 грн
10+116.39 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.68 грн
122+116.39 грн
208+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 MOSFETs MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRFZ34NS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+71.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+87.87 грн
207+68.52 грн
250+65.66 грн
500+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.40 грн
10+57.04 грн
50+48.92 грн
100+46.68 грн
250+44.61 грн
500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+111.36 грн
10+88.28 грн
25+87.87 грн
100+66.07 грн
250+60.80 грн
500+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.81 грн
10+87.38 грн
100+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+169.68 грн
10+116.39 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+169.68 грн
122+116.39 грн
208+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF Infineon-IRFZ34NS.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.