Технічний опис IRFZ44EPBF
- MOSFET, N, 60V, 48A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:60V
- Cont Current Id:48A
- On State Resistance:0.023ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.4`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:60V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:110W
- Power Dissipation Pd:110W
- Pulse Current Idm:192A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFZ44EPBF за ціною від 31.48 грн до 31.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| IRFZ44EPBF | Виробник : International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFZ44EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC |
товару немає в наявності |