Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFZ44ESTRLPBF
IRFZ44ESTRLPBF

IRFZ44ESTRLPBF Infineon Technologies

irfz44es.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
356+99.15 грн
500+89.23 грн
1000+82.30 грн
10000+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ44ESTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFZ44ESTRLPBF за ціною від 54.89 грн до 99.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF Infineon Technologies irfz44es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 151950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.15 грн
500+89.23 грн
1000+82.30 грн
10000+70.75 грн
100000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ44ES_DataSheet_v01_01_EN-3363172.pdf MOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF irfz44es.pdf
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 151950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
356+99.15 грн
500+89.23 грн
1000+82.30 грн
10000+70.75 грн
100000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF Infineon_IRFZ44ES_DataSheet_v01_01_EN-3363172.pdf
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.