IRFZ44NSTRRPBF

IRFZ44NSTRRPBF


IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf
Код товару: 31849
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності

Кількість Ціна
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ44NSTRRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transist

Інші пропозиції IRFZ44NSTRRPBF за ціною від 77.13 грн до 108.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ44NSTRRPBF IRFZ44NSTRRPBF Виробник : International Rectifier IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+77.13 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products IRSDS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
323+108.32 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRRPBF IRFZ44NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.