IRFZ44ZPBF
Код товару: 40288
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 51 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0139 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1420/29
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 24.30 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ44ZPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 51A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:51A
- On State Resistance:0.0139ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.87`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- On State resistance @ Vgs = 10V:13.9ohm
- Power Dissipation:80W
- Power Dissipation Pd:80W
- Pulse Current Idm:200A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFZ44ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ44ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IRFZ44ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFZ44ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0139 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFZ44ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFZ44ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFZ44ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg
MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFZ44ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0139 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0139 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFZ44ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| 2200uF 10V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR222M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 15888
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x21 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x21 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 44 шт
- 7 шт - склад
- 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується
на замовлення: 481 шт
- 481 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.90 грн |
| 100+ | 5.30 грн |
| 1000+ | 4.70 грн |
| 220uF 35V EZV SMD sizeE 8x10.5 (low imp.) (EZV221M35RE) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний) Код товару: 30349
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Серія: EZV, SMD низькоімпедансні
Температурний діапазон: -40...+105°С
Типорозмір, габарити: SMD size E
Макс. пульсуючий струм: 450 мА
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Серія: EZV, SMD низькоімпедансні
Температурний діапазон: -40...+105°С
Типорозмір, габарити: SMD size E
Макс. пульсуючий струм: 450 мА
очікується: 2000 шт
- 2000 шт - очікується 15.12.2026
на замовлення: 97 шт
- 97 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 4.90 грн |
| SK54 Код товару: 30478
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Diotec
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMC (DO-214AB)
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 5 А
Падіння напруги Vf, В: 0,65 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 125 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMC (DO-214AB)
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 5 А
Падіння напруги Vf, В: 0,65 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 125 А
на замовлення: 55 шт
- 55 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.20 грн |
| 100+ | 4.60 грн |
| PBS-19 (KLS1-208-1-19-S) Код товару: 110775
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 19 контактів, крок 2,54мм, 1A
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 19
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 19 контактів, крок 2,54мм, 1A
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 19
у наявності: 1462 шт
- 1462 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.60 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| PBS-8 (KLS1-208-1-08-S) Код товару: 110782
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 8 контактів, крок 2,54мм, 1A
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 8
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 8 контактів, крок 2,54мм, 1A
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 8
у наявності: 812 шт
- 679 шт - склад
- 133 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 6000 шт
- 6000 шт - очікується
на замовлення: 160 шт
- 160 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.30 грн |














