IRFZ44ZSTRRPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 36.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ44ZSTRRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFZ44ZSTRRPBF за ціною від 54.81 грн до 154.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ44ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFZ44ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFZ44ZSTRRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRFZ44ZSTRRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFZ44ZSTRRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 36A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFZ44ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRFZ44ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRFZ44ZSTRRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 36A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |