Технічний опис IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 82W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ46ZSTRLPBF за ціною від 49.65 грн до 132.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 255422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFZ46ZSTRLPBF | International Rectifier |
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
на замовлення 60552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFZ46ZSTRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 60552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 170+ | 83.36 грн |
| 183+ | 77.15 грн |
| 185+ | 76.37 грн |
| 500+ | 72.91 грн |
| 1000+ | 66.84 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 242+ | 84.43 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 304+ | 116.39 грн |
| 500+ | 104.75 грн |
| 1000+ | 96.61 грн |
| 10000+ | 83.05 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 255422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 304+ | 116.39 грн |
| 500+ | 104.75 грн |
| 1000+ | 96.61 грн |
| 10000+ | 83.05 грн |
| 100000+ | 64.43 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 304+ | 116.39 грн |
| 500+ | 104.75 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 304+ | 116.39 грн |
| 500+ | 104.75 грн |
| 1000+ | 96.61 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.09 грн |
| 10+ | 108.37 грн |
| 100+ | 75.25 грн |
| 250+ | 69.34 грн |
| 500+ | 63.08 грн |
| 800+ | 50.63 грн |
| 2400+ | 49.65 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 60552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 242+ | 84.43 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 304+ | 116.39 грн |
| 500+ | 104.75 грн |
| 1000+ | 96.61 грн |
| 10000+ | 83.05 грн |





