IRFZ48NPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 49.67 грн |
| 2000+ | 42.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ48NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Інші пропозиції IRFZ48NPBF за ціною від 30.10 грн до 158.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFZ48NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1610 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 34511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFZ48NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 8745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC |
на замовлення 9043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFZ48N PBF | IR | 06+; |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFZ48NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 49.67 грн |
| 2000+ | 42.41 грн |
| IRFZ48NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 59.15 грн |
| 258+ | 54.96 грн |
| 500+ | 46.78 грн |
| 1000+ | 40.98 грн |
| 4000+ | 33.62 грн |
| IRFZ48NPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.74 грн |
| 10+ | 46.23 грн |
| 50+ | 43.62 грн |
| 100+ | 41.10 грн |
| 250+ | 37.99 грн |
| 500+ | 35.64 грн |
| 1000+ | 33.37 грн |
| IRFZ48NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 81.50 грн |
| 13+ | 59.43 грн |
| 100+ | 55.22 грн |
| 500+ | 45.33 грн |
| 1000+ | 38.12 грн |
| 4000+ | 32.42 грн |
| IRFZ48NPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 135.23 грн |
| 13+ | 64.77 грн |
| 100+ | 57.84 грн |
| 500+ | 42.44 грн |
| 1000+ | 35.75 грн |
| 5000+ | 30.10 грн |
| IRFZ48NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.26 грн |
| 50+ | 68.55 грн |
| 100+ | 61.23 грн |
| 500+ | 45.39 грн |
| IRFZ48NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 9043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.04 грн |
| 10+ | 97.97 грн |
| 100+ | 56.21 грн |
| 500+ | 44.55 грн |
| 1000+ | 39.66 грн |
| 2000+ | 36.24 грн |
| 5000+ | 34.84 грн |
| IRFZ48N PBF |
Виробник: IR
06+;
06+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)