IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate charge: 54nC
Gate-source voltage: ±20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 58.54 грн |
| 10+ | 45.30 грн |
| 50+ | 42.74 грн |
| 100+ | 40.27 грн |
| 250+ | 37.23 грн |
| 500+ | 34.92 грн |
| 1000+ | 32.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Інші пропозиції IRFZ48NPBF за ціною від 26.73 грн до 212.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V |
на замовлення 2917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 41244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 41261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ48NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 8422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFZ48NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC |
на замовлення 8933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ48N PBF | IR | 06+; |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 63.79 грн |
| 2000+ | 58.77 грн |
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 63.79 грн |
| 2000+ | 58.77 грн |
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.99 грн |
| 50+ | 48.79 грн |
| 100+ | 43.44 грн |
| 500+ | 31.96 грн |
| 1000+ | 29.12 грн |
| 2000+ | 26.73 грн |
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 211.66 грн |
| 140+ | 100.85 грн |
| 156+ | 90.08 грн |
| 500+ | 68.61 грн |
| 1000+ | 58.09 грн |
| 2000+ | 51.38 грн |
| 5000+ | 46.63 грн |
| 10000+ | 43.70 грн |
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 212.73 грн |
| 50+ | 101.36 грн |
| 100+ | 90.53 грн |
| 500+ | 68.96 грн |
| 1000+ | 58.39 грн |
| 2000+ | 51.64 грн |
| 5000+ | 46.87 грн |
| 10000+ | 43.92 грн |
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFZ48N PBF |
Виробник: IR
06+;
06+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)






