IRFZ48NPBF Infineon Technologies
на замовлення 60858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 23.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ48NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFZ48NPBF за ціною від 25.01 грн до 62.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 38618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFZ48NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC |
на замовлення 7010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFZ48NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFZ48NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFZ48NPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
TO-220 |
на замовлення 177 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRFZ48N PBF | Виробник : IR | 06+; |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRFZ48NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |