Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFZ48NPBF
IRFZ48NPBF

IRFZ48NPBF Infineon Technologies

infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
311+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ48NPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції IRFZ48NPBF за ціною від 31.40 грн до 121.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.47 грн
2000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.47 грн
2000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.06 грн
10+45.70 грн
50+43.13 грн
100+40.63 грн
250+37.56 грн
500+35.23 грн
1000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.49 грн
50+61.06 грн
100+55.09 грн
500+47.48 грн
1000+40.18 грн
2000+33.01 грн
5000+31.66 грн
10000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies irfz48npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ea972222c Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.79 грн
50+56.09 грн
100+46.97 грн
500+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ48N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON INFN-S-A0012838488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 7872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N PBF IR 06+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+54.47 грн
2000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+54.47 грн
2000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.06 грн
10+45.70 грн
50+43.13 грн
100+40.63 грн
250+37.56 грн
500+35.23 грн
1000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF infineonirfz48ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.49 грн
50+61.06 грн
100+55.09 грн
500+47.48 грн
1000+40.18 грн
2000+33.01 грн
5000+31.66 грн
10000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF irfz48npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ea972222c
IRFZ48NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.93 грн
10+74.79 грн
50+56.09 грн
100+46.97 грн
500+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF Infineon_IRFZ48N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF INFN-S-A0012838488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 7872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N PBF
Виробник: IR
06+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.