Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFZ48NPBF
IRFZ48NPBF

IRFZ48NPBF Infineon Technologies

infineon-irfz48n-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.03 грн
50+56.27 грн
100+54.16 грн
500+47.10 грн
1000+38.87 грн
2000+28.78 грн
5000+28.47 грн
10000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ48NPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції IRFZ48NPBF за ціною від 23.87 грн до 119.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies infineon-irfz48n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+61.28 грн
253+56.52 грн
263+54.40 грн
500+47.32 грн
1000+39.03 грн
2000+28.90 грн
5000+28.60 грн
10000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.51 грн
11+39.04 грн
35+27.63 грн
94+26.14 грн
2000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ48N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+117.96 грн
10+53.49 грн
100+36.66 грн
500+30.40 грн
1000+28.96 грн
2000+25.11 грн
5000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Infineon Technologies irfz48npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ea972222c Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.05 грн
10+72.88 грн
50+54.67 грн
100+45.78 грн
500+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON INFN-S-A0012838488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N PBF IR 06+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF infineon-irfz48n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
233+61.28 грн
253+56.52 грн
263+54.40 грн
500+47.32 грн
1000+39.03 грн
2000+28.90 грн
5000+28.60 грн
10000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.51 грн
11+39.04 грн
35+27.63 грн
94+26.14 грн
2000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF Infineon_IRFZ48N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.96 грн
10+53.49 грн
100+36.66 грн
500+30.40 грн
1000+28.96 грн
2000+25.11 грн
5000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF irfz48npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ea972222c
IRFZ48NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.05 грн
10+72.88 грн
50+54.67 грн
100+45.78 грн
500+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF INFN-S-A0012838488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N PBF
Виробник: IR
06+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.