IRFZ48NSPBF
Код товару: 113427
Виробник: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ48NSPBF IR
- MOSFET, N, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:64A
- On State Resistance:0.014ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:700mJ
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation:130W
- Power Dissipation Pd:130W
- Pulse Current Idm:210A
- SMD Marking:Z48NS
- Typ Capacitance Ciss:1970pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:100ns
- Transistor Case Style:D2-PAK
Інші пропозиції IRFZ48NSPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ48NSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFZ48NSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC |
товар відсутній |