Інші пропозиції IRFZ48NSTRLPBF за ціною від 36.52 грн до 180.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V |
на замовлення 21600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V |
на замовлення 22002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC |
на замовлення 11208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
IRFZ48NSTRLPBF |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : Infineon |
TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
IRFZ48NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |





