Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFZ48NSTRLPBF

IRFZ48NSTRLPBF

irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e
Код товару: 191709
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFZ48NSTRLPBF за ціною від 39.66 грн до 185.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.57 грн
1600+53.83 грн
2400+51.54 грн
4000+45.96 грн
5600+44.53 грн
8000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.15 грн
500+49.37 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.63 грн
10+94.35 грн
100+70.15 грн
500+49.37 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz48nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.74 грн
143+99.29 грн
158+89.83 грн
500+65.45 грн
800+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ48NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.04 грн
10+112.42 грн
100+66.53 грн
500+56.61 грн
800+50.14 грн
2400+47.40 грн
4800+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 20261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.13 грн
10+114.28 грн
100+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF International Rectifier HiRel Products irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e IRFZ48NSTRLPBF
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+94.55 грн
500+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 374
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.57 грн
1600+53.83 грн
2400+51.54 грн
4000+45.96 грн
5600+44.53 грн
8000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF 107908.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.15 грн
500+49.37 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF 107908.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.63 грн
10+94.35 грн
100+70.15 грн
500+49.37 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF infineonirfz48nsdatasheeten.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+175.74 грн
143+99.29 грн
158+89.83 грн
500+65.45 грн
800+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF Infineon_IRFZ48NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.04 грн
10+112.42 грн
100+66.53 грн
500+56.61 грн
800+50.14 грн
2400+47.40 грн
4800+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 20261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.13 грн
10+114.28 грн
100+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRFZ48NSTRLPBF
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
374+94.55 грн
500+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 374
В кошику  од. на суму  грн.