Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFZ48NSTRLPBF
IRFZ48NSTRLPBF

IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfz48ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFZ48NSTRLPBF за ціною від 40.61 грн до 124.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+42.52 грн
1600+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz48ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz48ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.27 грн
500+50.42 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz48ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.72 грн
11+58.75 грн
25+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz48ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+93.54 грн
162+75.65 грн
200+71.17 грн
500+49.88 грн
800+43.65 грн
1600+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFZ48NS_DataSheet_v01_01_EN-3363369.pdf MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 26505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.59 грн
10+86.30 грн
100+56.57 грн
250+52.90 грн
500+51.50 грн
800+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.79 грн
10+89.13 грн
100+66.27 грн
500+50.42 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 26241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.94 грн
10+88.66 грн
100+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz48ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz48ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF
Код товару: 191709
Додати до обраних Обраний товар

irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz48ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.