Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IRFZ48VPBF
IRFZ48VPBF

IRFZ48VPBF ROCHESTER ELECTRONICS

IRSDS11279-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ48VPBF - IRFZ48 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ48VPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFZ48VPBF за ціною від 28.70 грн до 33.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ48VPBF
Код товару: 122337
Додати до обраних Обраний товар

irfz48vpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 72 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1985/110
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+28.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBF IRFZ48VPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfz48v-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBF IRFZ48VPBF Виробник : Infineon Technologies irfz48vpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ec0b92233 Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBF IRFZ48VPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFZ48V_DataSheet_v01_01_EN-3363251.pdf MOSFET MOSFT 60V 72A 12mOhm 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.