IRFZ48VPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ48VPBF - IRFZ48 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ48VPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ48VPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ48VPBF Код товару: 122337 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 72 A Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1985/110 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||
 |
IRFZ48VPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRFZ48VPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFZ48VPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 72A 12mOhm 73.3nC |
товар відсутній |