Технічний опис IRG4BC20KPBF IR
Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A, Supplier Device Package: TO-220AB, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns, Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off), Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 34 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції IRG4BC20KPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BC20KPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IRG4BC20KPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IRG4BC20KPBF | Виробник : Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz |
товару немає в наявності |