IRG4BC30FD-SPBF Infineon Technologies
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 75+ | 165.38 грн | 
| 76+ | 157.38 грн | 
| 77+ | 144.88 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BC30FD-SPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns, Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off), Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 51 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 31 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A, Power - Max: 100 W. 
Інші пропозиції IRG4BC30FD-SPBF за ціною від 155.22 грн до 178.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube         | 
        
                             на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||
| 
             | 
        IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||
                      | 
        IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : INFINEON | 
            
                         Description: INFINEON - IRG4BC30FD-SPBF - IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8 Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 31 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||
                      | 
        IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||
                      | 
        IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : Infineon / IR | 
            
                         IGBT Transistors 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        



