Інші пропозиції IRG4BC30UDPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BC30UDPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRG4BC30UDPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4BC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52 Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 23 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
 |
IRG4BC30UDPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 23A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 40ns/91ns Switching Energy: 380µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IRG4BC30UDPBF | Виробник : Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz |
товару немає в наявності |