Технічний опис IRG4BC40FPBF
- IGBT, TO-220
- Transistor Type:IGBT
- Max Voltage Vce Sat:1.8V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic Continuous a:49A
- Max Fall Time:170ns
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:160W
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulsed Current Icm:200A
- Rise Time:18ns
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
Інші пропозиції IRG4BC40FPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRG4BC40FPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRG4BC40FPBF | Виробник : INFINEON |
![]() Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 DC-Kollektorstrom: 49 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRG4BC40FPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 49 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A Power - Max: 160 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRG4BC40FPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |