IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns, Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 98 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 160 W.
Інші пропозиції IRG4BC40W-SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BC40W-SPBF | Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRG4BC40W-SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4BC40W-SPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRG4BC40W-SPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4BC40W-SPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4BC40W-SPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4BC40W-SPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4BC40W-SPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.