IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns, Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 98 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 160 W.
Інші пропозиції IRG4BC40W-SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BC40W-SPBF | Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRG4BC40W-SPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.