IRG4BH20K-SPBF
Виробник:
IRG4BH20K-SPBF Транзисторы
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BH20K-SPBF
Description: IGBT 1200V 11A D2PAK, Power - Max: 60 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Gate Charge: 28 nC, Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V, Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns, Supplier Device Package: D2PAK, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRG4BH20K-SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRG4BH20K-SPBF | International Rectifier |
IGBT, 1200V 5A D2Pak Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 11A D2PAK Power - Max: 60 W Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Gate Charge: 28 nC Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies |
IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRG4BH20K-SPBF |
|
Виробник: International Rectifier
IGBT, 1200V 5A D2Pak Транзистори
IGBT, 1200V 5A D2Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4BH20K-SPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 11A D2PAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Description: IGBT 1200V 11A D2PAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4BH20K-SPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.