IRG4BH20K-SPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 252.83 грн |
| 10+ | 213.66 грн |
| 100+ | 167.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BH20K-SPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 11A D2PAK, Power - Max: 60 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Gate Charge: 28 nC, Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V, Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns, Supplier Device Package: D2PAK, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRG4BH20K-SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRG4BH20K-SPBF |
 IRG4BH20K-SPBF Транзисторы |
на замовлення 110 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRG4BH20K-SPBF |
|
IRG4BH20K-SPBF Транзисторы
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)