IRG4IBC10UDPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 6.8A TO220AB FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A
Power - Max: 25 W
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 228+ | 103.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4IBC10UDPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 6.8A TO220AB FP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns, Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 15 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції IRG4IBC10UDPBF за ціною від 112.21 грн до 156.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4IBC10UDPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRG4IBC10UDPBF - IRG4IBC10 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRG4IBC10UDPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRG4IBC10UDPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 14550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRG4IBC10UDPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRG4IBC10UDPBF | Виробник : Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz |
на замовлення 834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IRG4IBC10UDPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 3.9A; 25W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 3.9A Power dissipation: 25W Case: TO220AB Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRG4IBC10UDPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 6.8A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A Power - Max: 25 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRG4IBC10UDPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 3.9A; 25W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 3.9A Power dissipation: 25W Case: TO220AB Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube |
товару немає в наявності |