Продукція > Транзистори > IGBT > IRG4PC40WPBF

IRG4PC40WPBF

Код товару: 35966

Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,05 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 160 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 27/100

товар відсутній

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRG4PC40WPBF IR

IGBT, 600V, 40A, TO-247AC
Transistor Type:IGBT
Max Voltage Vce Sat:2.5V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
No. of Pins:3
Case Style:TO-247AC
Current Temperature:25`C
Device Marking:IRG4PC40WPBF
Fall Time Tf:124ns
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Current Ic Continuous a:40A
Max Fall Time:124ns
No. of Transistors:1
Power Dissipation:160W
Power Dissipation Pd:160W
Pulsed Current Icm:160A
Rise Time:23ns
Termination Type:Through Hole
Transistor Polarity:N Channel
Voltage Vces:600V

Інші пропозиції IRG4PC40WPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRG4PC40WPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube	товар відсутній
IRG4PC40WPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGBT 600V 40A 160W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W	товар відсутній
IRG4PC40WPBF	Виробник : Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz	товар відсутній