IRG4PC50KDPBF

IRG4PC50KDPBF


IRG4PC50KD.pdf
Код товару: 34338
Виробник: IR
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,84 V
Ic 25: 52 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 11/40
товару немає в наявності

Кількість Ціна
1+186.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG4PC50KDPBF IR

  • IGBT, 600V, 52A, TO-247AC
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:52A
  • Max Voltage Vce Sat:1.84V
  • Power Dissipation:104W
  • Case Style:TO-247AC
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:IRG4PC50KDPBF
  • Fall Time Tf:140ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:140ns
  • Min Short Circuit Withstand Time:10es
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:104W
  • Pulsed Current Icm:104A
  • Rise Time:49ns

Інші пропозиції IRG4PC50KDPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irg4pc50kd-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Виробник : INFINEON 140328.pdf Description: INFINEON - IRG4PC50KDPBF - IGBT, 52 A, 1.84 V, 104 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.84
DC-Kollektorstrom: 52
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 104
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Виробник : Infineon Technologies irg4pc50kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564461bb22ea Description: IGBT 600V 52A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 63ns/150ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRG4PC50KD_DataSheet_v01_00_EN-1732860.pdf IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.