IRG4PH50S-EPBF Infineon Technologies
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4PH50S-EPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 57A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/845ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 19.6mJ (off), Test Condition: 960V, 33A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 167 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 57 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 114 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції IRG4PH50S-EPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4PH50S-EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRG4PH50S-EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 57A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A Supplier Device Package: TO-247AD Td (on/off) @ 25°C: 32ns/845ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Test Condition: 960V, 33A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Current - Collector (Ic) (Max): 57 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 114 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |