IRG4PH50UPBF
Код товару: 44979
Виробник: Корпус: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,78 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 35/200
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4PH50UPBF
- IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:45A
- Max Voltage Vce Sat:3.7V
- Power Dissipation:200W
- Case Style:TO-247AC
- Termination Type:Through Hole
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Fall Time:500ns
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulsed Current Icm:180A
- Rise Time:15ns
Інші пропозиції IRG4PH50UPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4PH50UPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 45A TO-247AC Packaging: Tray Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 35ns/200ns Switching Energy: 530µJ (on), 1.41mJ (off) Test Condition: 960V, 24A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IRG4PH50UPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT |
товару немає в наявності |