IRG4RC10SDPBF ROCHESTER ELECTRONICS


IRSDS10474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRG4RC10SDPBF - IRG4RC10 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG4RC10SDPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: IGBT 600V 14A TO-252AA, Power - Max: 38 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 15 nC, Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V, Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A.

Інші пропозиції IRG4RC10SDPBF за ціною від 70.54 грн до 70.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRG4RC10SDPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4RC10SDPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.