IRG7PH35UD1PBF Infineon Technologies


IRG7PH35UD1PBF%28-EP%29.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AC
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
Switching Energy: 620µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 179 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG7PH35UD1PBF Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO-247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247AC, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: -/160ns, Switching Energy: 620µJ (off), Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 179 W.

Інші пропозиції IRG7PH35UD1PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRG7PH35UD1PBF IRG7PH35UD1PBF Infineon / IR irg7ph35ud1pbf-936502.pdf IGBT Transistors 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH35UD1PBF IRG7PH35UD1PBF INFINEON IRSDS18580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRG7PH35UD1PBF - IGBT, 50 A, 1.9 V, 179 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 50
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 179
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH35UD1PBF irg7ph35ud1pbf-936502.pdf
Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH35UD1PBF IRSDS18580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG7PH35UD1PBF - IGBT, 50 A, 1.9 V, 179 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 50
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 179
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.