IRG7PH44K10D-EPBF

IRG7PH44K10D-EPBF International Rectifier


IRSDS19356-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/315ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 320 W
на замовлення 4275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+310.78 грн
Мінімальне замовлення: 64
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG7PH44K10D-EPBF International Rectifier

Description: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 75ns/315ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 320 W.

Інші пропозиції IRG7PH44K10D-EPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF Виробник : Infineon Technologies 3505irg7ph44k10dpbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 320000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товар відсутній
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRG7PH44K10D-EPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3; single transistor
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF Виробник : Infineon / IR irg7ph44k10dpbf-937895.pdf IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz Copack IGBT
товар відсутній
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRG7PH44K10D-EPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3; single transistor
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній