Продукція > INFINEON / IR > IRG8P08N120KDPBF
IRG8P08N120KDPBF

IRG8P08N120KDPBF Infineon / IR


irg8p08n120kdpbf-1302918.pdf Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8
на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG8P08N120KDPBF Infineon / IR

Description: IGBT 1200V 15A TO-247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-247AC, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/160ns, Switching Energy: 300µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 600V, 5A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 45 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A, Power - Max: 89 W.

Інші пропозиції IRG8P08N120KDPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRG8P08N120KDPBF IRG8P08N120KDPBF Виробник : Infineon Technologies IRG8x08N120KD.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/160ns
Switching Energy: 300µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 600V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 89 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.